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MBT35200MT1G中文资料

MBT35200MT1G图片

MBT35200MT1G外观图

  • 大小:84.7KB
  • 厂家:ONSEMI
  • 描述:ON Semiconductor [High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications]
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):35V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):310mV @ 20mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大):100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 1.5A,1.5V
  • 功率 - 最大:625mW
  • 频率 - 转换:100MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装:6-TSOP
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:MBT35200MT1GOSMBT35200MT1GOS-NDMBT35200MT1GOSTR

MBT35200MT1G供应商

更新时间:2023-01-11 12:24:04
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